工艺平台：

仲博cbin通过技术授权和自主研发，可开发从90nm到28nm逻辑工艺，通过加入特定IP和特殊工艺可以涵盖BCD、HVCMOS、MCU 、eflash 、Iot Memory 等集成电路产品，广泛应用于电源管理、显示驱动、LED照明、汽车电子、摄像头模组、消费级电子等领域。

技术开发路线：

40nm工艺平台：

仲博cbin半导体通过技术授权的模式，拥有涵盖三种不同阈值电压、输入/输出器件 2.5V电压、核心组件电压1.1V的40nm Low Power技术平台，以满足市场的设计要求40nm逻辑制程结合了先进的浸入式光刻技术、应力技术、超浅结技术以及低介电常数介质。

仲博cbin40nm逻辑制程融合了高性能和低功耗的特性，能够完美应对市场需求，适用场景极其广泛，如：汽车电子、手机基带及应用处理器，蓝牙设备，数字电视，机顶盒，游戏及其他无线互联应用。

65nm/55nm工艺平台：

技术简介

    65nm/55nm标准逻辑制程提供低功耗（LP）器件平台，核心组件电压1.2V，拥有涵盖三种不同阈值电压、输入/输出器件 5V电压，以满足市场的设计要求。

特点

    核心元件电压：1.2V

    低k介质（3.0）和Cu的后端互连集成技术

    镍化硅制程（NiPt）

    输入/输出电压：5V

应用产品

    仲博cbin65nm/55nm混合信号制程，具有低功耗的特性，主要应用于车载芯片、电源管理、驱动等场景。